英特尔赶在创新日 (9月19 日) 活动开跑前，抢先宣布推出业界首款用于下一代先进封装的玻璃基板方案。

英特尔称在基板材料方面取得重大突破，新型玻璃基板将用于下一代先进芯片设计，将比现有的有机材料更坚固、更高效。

英特尔指出，玻璃基板可以承受更高的温度，图案变形减少 50%，并具有超低平坦度，可改善曝光深焦，并具有极其紧密的层间互连覆盖所需的尺寸稳定性。

英特尔称，凭借这些功能，玻璃基板上的互连密度可以提高 10 倍，并允许实现高组装良率的超大型封装，预计在 2026 至 2030 年推出完整的玻璃基板解决方案。

英特尔提及，玻璃基板重大突破使封装技术能够持续扩展，在单一封装中容纳 1 兆个晶体管的目标，并将摩尔定律延续到 2030 年之后。

英特尔表示：「我们将首先在人工智能 (AI)、绘图处理和资料中心等高性能领域看到使用玻璃基板的芯片。」

英特尔此一突破性成就是英特尔也在为其美国芯片代工厂增强先进封装能力的另一个迹象，也是英特尔迎战台积电的新策略。

据报导，英特尔对手台积电 (TSM-US) 的亚利桑那州厂计划生产 4 纳米和 3 纳米芯片，但目前并无在亚利桑那州或美国境内打造封装厂的计划，主要卡关因素是成本高昂，因此这些先进芯片不会在美国完成封装。

英特尔先进封装资深经理 Mark Gardner 于今年 5 月份指出，英特尔芯片制造工厂和组装、测试、封装站点分布在世界各地，相较台积电目前大部分芯片制造设施都在中国台湾，英特尔优势在于提供安全供应链、分散地缘风险，也可提供客户部分 IDM 流程，弹性选择。

Gardner 称：「英特尔晶圆制造服务愿意让客户只使用服务的一部分，也就是说，他们可以委托其他晶圆代工业者生产芯片，英特尔只做封测。」